MOS FET繼電器是一種集機(jī)械繼電器（簧片繼電器）及半導(dǎo)體開關(guān)裝置兩種產(chǎn)品特性為一體的電子元器件。與其他普通繼電器相比，MOS FET繼電器擁有更多的優(yōu)點(diǎn)，它的存在可以促進(jìn)各種設(shè)備的小型化，并且實(shí)現(xiàn)更加節(jié)能的作用,正逐步替代機(jī)械繼電器。以下是歐姆龍MOS FET繼電器的顯著特點(diǎn)。
1. 繼電器雖小仍可實(shí)現(xiàn)它的焊接性：SSOP/USOP封裝的繼電器，端子直接露出，可視性優(yōu)異，安裝方便。
2. 超小型、輕量：除了SSOP、USOP之外，超小型封裝為設(shè)備的小型化做出貢獻(xiàn)。
3. 低電流：在推薦運(yùn)行條件（標(biāo)準(zhǔn)）下的驅(qū)動(dòng)電流為2-15mA左右。還有最小可用0.2mA驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品，為整體設(shè)備的節(jié)能化做出貢獻(xiàn)。
4. 壽命長(zhǎng)：采用光信號(hào)傳輸方式，實(shí)現(xiàn)無接點(diǎn)構(gòu)造。不會(huì)因接點(diǎn)磨損而縮短使用壽命，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)使用壽命。
5. 漏電流微弱：對(duì)外部浪涌有很高的耐心，而且還沒有緩沖電路，因此正常運(yùn)行時(shí)電流小于1nA，關(guān)閉時(shí)的漏電流也極其微弱。
6. 耐沖擊性出色：內(nèi)部部件完全為沖壓制品，而且沒有可動(dòng)部等機(jī)構(gòu)部件，具有出色的耐沖擊性、耐震動(dòng)性。
7. 高絕緣性：將電壓轉(zhuǎn)換成光、以信號(hào)形式進(jìn)行傳送，確保輸入輸出間耐電壓AC2500V。更高級(jí)的AC5000V也已實(shí)現(xiàn)系列化。
8. 靜音：不會(huì)像機(jī)械繼電器那樣在開閉金屬接點(diǎn)時(shí)會(huì)發(fā)出聲音，為設(shè)備的靜音化做出貢獻(xiàn)。
9. 高速響應(yīng)性：運(yùn)行時(shí)間僅0.2ms（SSOP\USOP、VSON），相比機(jī)械繼電器的3ms-5m，速度明顯提升。實(shí)現(xiàn)了高速響應(yīng)性。
10. 高速響應(yīng)性：運(yùn)行時(shí)間僅0.2ms（SSOP\USOP、VSON），相比機(jī)械繼電器的3ms-5m，速度明顯提升。實(shí)現(xiàn)了高速響應(yīng)性。
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